關于高性能氧化鋅電阻片的研究進展探究

一、ZnO電阻片的導電原理研討進展 
　　氧化鋅電阻閥片的導電原理歸于根底理論研討，國內外關于氧化鋅壓敏陶瓷的研討時刻長達三十年，期間，取得了豐盛的研討成果。表1列出了ZnO電阻閥片導電原理的研討情況。 
　　上個世紀五六十時代，日本首先研討氧化鋅壓敏電阻片導電原理，到目前為止，雪崩擊穿原理、Schottky原理和兩步傳輸理論被比較廣泛地提及和使用。 
　　雪崩擊穿原理，取“雪崩”之名，在于著重其如雪崩一樣綿綿不絕。當單個電子從陰極走向陽極時，在電場強度足夠大的情況下，單個電子與晶體原子彼此磕碰，發生新的電離子，然后這兩個電子在走向陽極的過程中又與其他晶體原子相撞，發生其他電子，循環下去，電子就會像雪崩似的綿綿不絕地添加。這個原理與我國道家的“道生一，終身二，二生三，三生萬物”類似。 
　　Schottky勢壘原理研討者許多，也被大多數人廣為承受。圖2為金屬與n型半導體構成的肖特基勢壘圖。肖特基勢壘指的是具有整流特性的金屬-半導體觸摸，它與具有歐姆觸摸的絕緣層的空間約束電流不同，空間約束電流不具有整流性。這項原理的使用技術在氧化鋅電阻片的保護和穩壓功用方面具有很好的功效。 
　　兩步傳輸理論的根底是雙耗盡層模型，它著重電子分兩步進行的傳輸。第一步的傳輸途經是由氧化鋅晶粒到界面層，第二步的途經是由界面層傳到其他的晶粒。與一般半導體導電不同，這種導電方法是雙向的，不受正負電極約束，其長處是能夠承受較大電流密度的電流沖擊，響應速度納秒級，能夠完成通斷時刻與過電壓或許雷電沖擊時刻同步，這一明顯優勢奠定了氧化鋅電阻片在高低壓輸電線路、電站、及其它電氣設備最為經濟實用的保護位置，這個理論目前仍在不斷研討中。 

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